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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
総合得点
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
総合得点
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
41
42
周辺 2% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.3
12.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.5
7.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
42
読み出し速度、GB/s
13.3
12.8
書き込み速度、GB/秒
8.5
7.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2176
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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