Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

総合得点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点

Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 21300

周辺 1.2% 高帯域

Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

考慮すべき理由
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

31 38

周辺 -23% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.2 15.5

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.2 12.0

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

38 31
読み出し速度、GB/s

15.5 16.2
書き込み速度、GB/秒

12.0 13.2
メモリ帯域幅、mbps

25600 21300

Other

商品説明

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2283 3091

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

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Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

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G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

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