RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3091
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link