RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
75
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
22
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3110
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link