RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
54
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2277
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link