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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
54
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
54
读取速度,GB/s
12.7
10.8
写入速度,GB/s
7.5
8.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2277
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB RAM的比较
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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