RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
49
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2374
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link