RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
71
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
59
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
9.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2128
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link