RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
71
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
59
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
9.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2128
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link