RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
71
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
59
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
9.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2128
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link