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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
総合得点
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
総合得点
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
41
周辺 -64% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.1
13.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.2
8.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
25
読み出し速度、GB/s
13.3
15.1
書き込み速度、GB/秒
8.5
11.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2322
2489
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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