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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Compara
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2322
2489
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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