RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 11.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 6.1
    テスト平均値
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB 考慮すべき理由
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 42
    周辺 -40% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    13.6 left arrow 11.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 6.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2292 left arrow 1254

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB RAMの比較

Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB RAMの比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
メモリRAM