Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Gesamtnote
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Unterschiede

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 11.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 6.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 42
    Rund um -40% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    42 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 11.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 6.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2292 left arrow 1254
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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