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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB

総合得点
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

総合得点
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Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB

Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 42
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 13.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.7 left arrow 8.4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    13.6 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 10.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2292 left arrow 2815

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Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
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Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
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メモリRAM
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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