RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
バグを報告する
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 42
    周辺 -31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.9 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2150 left arrow 3115

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAMの比較

Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
メモリRAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
メモリRAM