RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB против Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
3115
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link