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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

総合得点
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

総合得点
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 41
    周辺 -86% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 14.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    14.1 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2240 left arrow 3139

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