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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2240
3139
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
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