RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Compara
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Puntuación global
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
12.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3419
2356
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link