Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

総合得点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

総合得点

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

37 42

周辺 12% 低遅延

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

14.5 13.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.5 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

37 42
読み出し速度、GB/s

13.2 14.5
書き込み速度、GB/秒

8.4 13.5
メモリ帯域幅、mbps

10600 21300

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2143 2750

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB

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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

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Kingston KVR533D2N4 512MB

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Kingston 99U5702-089.A00G 8GB

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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB

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