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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
42
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
42
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2750
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
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