Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

総合得点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

総合得点

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

17 37

周辺 -118% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

21.6 13.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

17.7 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

37 17
読み出し速度、GB/s

13.2 21.6
書き込み速度、GB/秒

8.4 17.7
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2143 3702

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston 9905734-082.A00G 16GB

Kingston 9905734-082.A00G 16GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Kingston XW21KG-MIE2 8GB

Kingston XW21KG-MIE2 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

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