RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
37
Rund um -118% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
21.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
17.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3702
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link