RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 37
    周辺 -19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.9 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 9.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 2060

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較

Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB RAMの比較

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
メモリRAM