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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
30
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
30
読み出し速度、GB/s
12.7
16.7
書き込み速度、GB/秒
7.5
13.2
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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