RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 29
    周辺 3% 低遅延
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.7 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 18.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 15.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 3756

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
メモリRAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
メモリRAM