RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 89
    周辺 69% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.5 left arrow 6.8
    テスト平均値
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 89
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 1518

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB RAMの比較

G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
メモリRAM