RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 30
    周辺 7% 低遅延
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 2355

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB RAMの比較

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM