RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 28
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.9 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 19.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 15.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 3779

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB RAMの比較

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
メモリRAM