RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 31
    周辺 10% 低遅延
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.8 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8500
    周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 20.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 16.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 3878

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
メモリRAM
Mushkin 996902 2GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
メモリRAM
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM