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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
28
周辺 -40% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.7
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.2
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
20
読み出し速度、GB/s
12.7
19.7
書き込み速度、GB/秒
7.5
15.2
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
3473
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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