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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 32
    周辺 13% 低遅延
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8500
    周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 2987

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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Kingston 9905678-029.A00G 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Kingston 9965600-033.A00G 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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