RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
Good Wealth Technology Ltd. 8GB 考慮すべき理由
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 28
    周辺 -33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.1 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 18.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 3211

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5469-042.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-042.A00LF 4GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
メモリRAM