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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 28
    周辺 -12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.7 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 10.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 2620

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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 9905734-003.A00G 32GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston 9965690-002.A00G 8GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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