RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
比較する
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
75
周辺 63% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.5
7.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
12.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
75
読み出し速度、GB/s
12.7
14.9
書き込み速度、GB/秒
7.5
7.1
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
1763
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link