RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
比較する
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
75
周辺 63% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.5
7.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
12.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
75
読み出し速度、GB/s
12.7
14.9
書き込み速度、GB/秒
7.5
7.1
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
1763
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link