Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB

総合得点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 36

周辺 22% 低遅延

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB

考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

14.8 12.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.5 7.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 8500

周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

28 36
読み出し速度、GB/s

12.7 14.8
書き込み速度、GB/秒

7.5 11.5
メモリ帯域幅、mbps

8500 17000

Other

商品説明

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1988 2564

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8

Kingston KF560C40-16 16GB

Kingston KF560C40-16 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905678-014.A00G 4GB

Kingston 9905678-014.A00G 4GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Kingston KH2400C15D4/8 8GB

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