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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

総合得点
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
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Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 35
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.7 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 19.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 17.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 3834

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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
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メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB
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Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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