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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
30
读取速度,GB/s
14.4
19.7
写入速度,GB/s
9.5
17.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3834
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
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