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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
総合得点
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
14
35
周辺 -150% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
25.1
14.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
19.3
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
14
読み出し速度、GB/s
14.4
25.1
書き込み速度、GB/秒
9.5
19.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2321
4182
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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