RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
35
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
14
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
4182
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link