RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 56
    周辺 38% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 4.4
    テスト平均値
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 7.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 4.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 1598

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAMの比較

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
メモリRAM
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
メモリRAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
メモリRAM