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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
56
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
7.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
4.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
56
读取速度,GB/s
14.4
7.5
写入速度,GB/s
9.5
4.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1598
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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