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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
56
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
7.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
4.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
56
读取速度,GB/s
14.4
7.5
写入速度,GB/s
9.5
4.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1598
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
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G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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Inmos + 256MB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
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