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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
10.7
17.5
写入速度,GB/s
6.8
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
2929
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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