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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
66
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
66
读取速度,GB/s
2,909.8
17.0
写入速度,GB/s
1,519.2
8.5
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2063
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
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