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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
39
周辺 -70% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.4
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.6
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
23
読み出し速度、GB/s
11.7
19.4
書き込み速度、GB/秒
7.2
17.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1749
4181
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
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