RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
39
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
19.4
Скорость записи, Гб/сек
7.2
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
4181
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link