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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
比較する
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
58
周辺 33% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.2
6.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
11.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
58
読み出し速度、GB/s
11.7
13.8
書き込み速度、GB/秒
7.2
6.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1749
1740
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF548C38-16 16GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
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