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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
58
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
58
读取速度,GB/s
11.7
13.8
写入速度,GB/s
7.2
6.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
1740
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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