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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

総合得点
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 45
    周辺 13% 低遅延
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1749 left arrow 3102

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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
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メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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